Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SQ2337ES-T1_GE3

SQ2337ES-T1_GE3

MOSFET P-CHAN 80V SOT23
Mã sản phẩm
SQ2337ES-T1_GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-23-3 (TO-236)
Tản điện (Tối đa)
3W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
80V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
290 mOhm @ 1A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
18nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 30V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
6V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 12605 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SQ2337ES-T1_GE3
SQ2337ES-T1_GE3 Linh kiện điện tử
SQ2337ES-T1_GE3 Việc bán hàng
SQ2337ES-T1_GE3 Nhà cung cấp
SQ2337ES-T1_GE3 Nhà phân phối
SQ2337ES-T1_GE3 Bảng dữ liệu
SQ2337ES-T1_GE3 Ảnh
SQ2337ES-T1_GE3 Giá
SQ2337ES-T1_GE3 Lời đề nghị
SQ2337ES-T1_GE3 Giá thấp nhất
SQ2337ES-T1_GE3 Tìm kiếm
SQ2337ES-T1_GE3 Thu mua
SQ2337ES-T1_GE3 Chip