Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SQD50N10-8M9L_GE3
MOSFET N-CHAN 100V TO252
Mã sản phẩm
SQD50N10-8M9L_GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-252
Tản điện (Tối đa)
136W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
8.9 mOhm @ 15A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
70nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2950pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 28836 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SQD50N10-8M9L_GE3
SQD50N10-8M9L_GE3 Linh kiện điện tử
SQD50N10-8M9L_GE3 Việc bán hàng
SQD50N10-8M9L_GE3 Nhà cung cấp
SQD50N10-8M9L_GE3 Nhà phân phối
SQD50N10-8M9L_GE3 Bảng dữ liệu
SQD50N10-8M9L_GE3 Ảnh
SQD50N10-8M9L_GE3 Giá
SQD50N10-8M9L_GE3 Lời đề nghị
SQD50N10-8M9L_GE3 Giá thấp nhất
SQD50N10-8M9L_GE3 Tìm kiếm
SQD50N10-8M9L_GE3 Thu mua
SQD50N10-8M9L_GE3 Chip