Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SQJ560EP-T1_GE3

SQJ560EP-T1_GE3

MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
Mã sản phẩm
SQJ560EP-T1_GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SO-8 Dual
Sức mạnh tối đa
34W (Tc)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8 Dual
Loại FET
N and P-Channel
Tính năng FET
Standard
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
30A (Tc), 18A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1650pF @ 25V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 35001 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SQJ560EP-T1_GE3
SQJ560EP-T1_GE3 Linh kiện điện tử
SQJ560EP-T1_GE3 Việc bán hàng
SQJ560EP-T1_GE3 Nhà cung cấp
SQJ560EP-T1_GE3 Nhà phân phối
SQJ560EP-T1_GE3 Bảng dữ liệu
SQJ560EP-T1_GE3 Ảnh
SQJ560EP-T1_GE3 Giá
SQJ560EP-T1_GE3 Lời đề nghị
SQJ560EP-T1_GE3 Giá thấp nhất
SQJ560EP-T1_GE3 Tìm kiếm
SQJ560EP-T1_GE3 Thu mua
SQJ560EP-T1_GE3 Chip