Mua Vishay Siliconix SQJB80EP-T1_GE3 MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SQJB80EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Mã sản phẩm

SQJB80EP-T1_GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

PowerPAK® SO-8 Dual

Sức mạnh tối đa

48W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PowerPAK® SO-8 Dual

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Standard

Xả điện áp nguồn (Vdss)

80V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

19 mOhm @ 8A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.5V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

32nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 37860 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SQJB00EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8