Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SQJQ466E-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8
Mã sản phẩm
SQJQ466E-T1_GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-PowerTDFN
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 8 x 8
Tản điện (Tối đa)
150W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.9 mOhm @ 10A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
180nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
10210pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 34914 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SQJQ466E-T1_GE3
SQJQ466E-T1_GE3 Linh kiện điện tử
SQJQ466E-T1_GE3 Việc bán hàng
SQJQ466E-T1_GE3 Nhà cung cấp
SQJQ466E-T1_GE3 Nhà phân phối
SQJQ466E-T1_GE3 Bảng dữ liệu
SQJQ466E-T1_GE3 Ảnh
SQJQ466E-T1_GE3 Giá
SQJQ466E-T1_GE3 Lời đề nghị
SQJQ466E-T1_GE3 Giá thấp nhất
SQJQ466E-T1_GE3 Tìm kiếm
SQJQ466E-T1_GE3 Thu mua
SQJQ466E-T1_GE3 Chip