Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SQM120P10_10M1LGE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Mã sản phẩm
SQM120P10_10M1LGE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-263 (D²Pak)
Tản điện (Tối đa)
375W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
10.1 mOhm @ 30A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
190nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
9000pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 40079 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SQM120P10_10M1LGE3
SQM120P10_10M1LGE3 Linh kiện điện tử
SQM120P10_10M1LGE3 Việc bán hàng
SQM120P10_10M1LGE3 Nhà cung cấp
SQM120P10_10M1LGE3 Nhà phân phối
SQM120P10_10M1LGE3 Bảng dữ liệu
SQM120P10_10M1LGE3 Ảnh
SQM120P10_10M1LGE3 Giá
SQM120P10_10M1LGE3 Lời đề nghị
SQM120P10_10M1LGE3 Giá thấp nhất
SQM120P10_10M1LGE3 Tìm kiếm
SQM120P10_10M1LGE3 Thu mua
SQM120P10_10M1LGE3 Chip