Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SQS407ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V PPAK 1212-8W
Mã sản phẩm
SQS407ENW-T1_GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® 1212-8W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 1212-8W
Tản điện (Tối đa)
62.5W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
10.8 mOhm @ 12A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
77nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4572pF @ 20V
VSS (Tối đa)
±20V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 49987 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SQS407ENW-T1_GE3
SQS407ENW-T1_GE3 Linh kiện điện tử
SQS407ENW-T1_GE3 Việc bán hàng
SQS407ENW-T1_GE3 Nhà cung cấp
SQS407ENW-T1_GE3 Nhà phân phối
SQS407ENW-T1_GE3 Bảng dữ liệu
SQS407ENW-T1_GE3 Ảnh
SQS407ENW-T1_GE3 Giá
SQS407ENW-T1_GE3 Lời đề nghị
SQS407ENW-T1_GE3 Giá thấp nhất
SQS407ENW-T1_GE3 Tìm kiếm
SQS407ENW-T1_GE3 Thu mua
SQS407ENW-T1_GE3 Chip