Mua Vishay Siliconix SUD50N10-18P-GE3 MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SUD50N10-18P-GE3

MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK

Mã sản phẩm

SUD50N10-18P-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-252, (D-Pak)

Tản điện (Tối đa)

3W (Ta), 136.4W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

100V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

8.2A (Ta), 50A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

18.5 mOhm @ 15A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

5V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

75nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 50V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 6824 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SUD50N02-04P-E3

MOSFET N-CH 20V 50A DPAK