Mua AGM-Semi (core control source) AGM210MAP N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ

AGM-Semi (core control source)

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

AGM210MAP

N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ

Mã sản phẩm

AGM210MAP

Loại

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Nhà sản xuất/Thương hiệu

AGM-Semi (core control source)

đóng gói

DFN3.3x3.3

đóng gói

taping

Số lượng gói

5000

Sự miêu tả

Type: One N-Channel, One P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A/-25A Power (Pd): 35W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 11mΩ@4.5V, 4A/18mΩ@10V, 3A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA/-0.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) [email protected] /[email protected] V input capacitance (Ciss@Vds): 0.95nF@10V/0.9nF@10V, Vds=20v Id=25A/-25A Rds=11mΩ/18mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 54280 PCS

Thông tin liên lạc