AGM-Semi (core control source)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
AGM3015A N-channel 30V 136A 1.3mΩ

AGM3015A

N-channel 30V 136A 1.3mΩ
Mã sản phẩm
AGM3015A
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
AGM-Semi (core control source)
đóng gói
PDFN5x6
đóng gói
taping
Số lượng gói
3000
Sự miêu tả
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 136A Power (Pd): 63W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 1.3mΩ@ 10V, 20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6@250uA Gate Charge (Qg@Vgs) 32nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.091nF@15V , Vds=30v Id=136A Rds=1.3 mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 86609 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của AGM3015A
AGM3015A Linh kiện điện tử
AGM3015A Việc bán hàng
AGM3015A Nhà cung cấp
AGM3015A Nhà phân phối
AGM3015A Bảng dữ liệu
AGM3015A Ảnh
AGM3015A Giá
AGM3015A Lời đề nghị
AGM3015A Giá thấp nhất
AGM3015A Tìm kiếm
AGM3015A Thu mua
AGM3015A Chip