HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
ES1M 1kV 1A 70ns

ES1M

1kV 1A 70ns
Mã sản phẩm
ES1M
Loại
Diodes > Fast Recovery/Ultra Fast Recovery Diodes
Nhà sản xuất/Thương hiệu
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
đóng gói
SMA
đóng gói
taping
Số lượng gói
2000
Sự miêu tả
Diode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 1kV Average rectified current (Io): 1A Forward voltage drop (Vf): 1.7V@1A Reverse current (Ir): 5uA@1kV Reverse recovery time ( trr): 70ns Operating temperature: -65℃~+150℃@(Tj)
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 55780 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của ES1M
ES1M Linh kiện điện tử
ES1M Việc bán hàng
ES1M Nhà cung cấp
ES1M Nhà phân phối
ES1M Bảng dữ liệu
ES1M Ảnh
ES1M Giá
ES1M Lời đề nghị
ES1M Giá thấp nhất
ES1M Tìm kiếm
ES1M Thu mua
ES1M Chip