HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
FDV303N-HXY
N-channel 20V 2.3A
Mã sản phẩm
FDV303N-HXY
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
đóng gói
SOT-23
đóng gói
taping
Số lượng gói
3000
Sự miêu tả
MOSFET N-channel, VDSS withstand voltage 20V, ID current 2.3A, RDON on-resistance 55mR@VGS 4.5V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 0.5-1.2V,
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 88675 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của FDV303N-HXY
FDV303N-HXY Linh kiện điện tử
FDV303N-HXY Việc bán hàng
FDV303N-HXY Nhà cung cấp
FDV303N-HXY Nhà phân phối
FDV303N-HXY Bảng dữ liệu
FDV303N-HXY Ảnh
FDV303N-HXY Giá
FDV303N-HXY Lời đề nghị
FDV303N-HXY Giá thấp nhất
FDV303N-HXY Tìm kiếm
FDV303N-HXY Thu mua
FDV303N-HXY Chip