VBsemi (Wei Bi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
FQD12N10-VB
FQD12N10 TO252
Mã sản phẩm
FQD12N10-VB
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
VBsemi (Wei Bi)
đóng gói
TO-252
đóng gói
taping
Số lượng gói
2500
Sự miêu tả
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 96549 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
P-Channel 60V 9.4A Power MOSFET, P-Channel, QFET, -60 V, -9.4 A, 185 mΩ, DPAK
onsemi (Ansemi)
N-Channel 200V 9A Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET, 200 V, 9.0 A, 280 mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 60V 11A Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET, 60 V, 11 A, 115 mΩ, DPAK
onsemi (Ansemi)
Từ khóa của FQD12N10-VB
FQD12N10-VB Linh kiện điện tử
FQD12N10-VB Việc bán hàng
FQD12N10-VB Nhà cung cấp
FQD12N10-VB Nhà phân phối
FQD12N10-VB Bảng dữ liệu
FQD12N10-VB Ảnh
FQD12N10-VB Giá
FQD12N10-VB Lời đề nghị
FQD12N10-VB Giá thấp nhất
FQD12N10-VB Tìm kiếm
FQD12N10-VB Thu mua
FQD12N10-VB Chip