VBsemi (Wei Bi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPD30N06S2L-23-VB IPD30N06S2L-23-VB

IPD30N06S2L-23-VB

IPD30N06S2L-23-VB
Mã sản phẩm
IPD30N06S2L-23-VB
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
VBsemi (Wei Bi)
đóng gói
TO252
đóng gói
taping
Số lượng gói
2500
Sự miêu tả
N-channel, 60V, 45A, RDS(ON), 24mΩ@10V, 28mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 1.8Vth(V); TO252
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 75448 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IPD30N06S2L-23-VB
IPD30N06S2L-23-VB Linh kiện điện tử
IPD30N06S2L-23-VB Việc bán hàng
IPD30N06S2L-23-VB Nhà cung cấp
IPD30N06S2L-23-VB Nhà phân phối
IPD30N06S2L-23-VB Bảng dữ liệu
IPD30N06S2L-23-VB Ảnh
IPD30N06S2L-23-VB Giá
IPD30N06S2L-23-VB Lời đề nghị
IPD30N06S2L-23-VB Giá thấp nhất
IPD30N06S2L-23-VB Tìm kiếm
IPD30N06S2L-23-VB Thu mua
IPD30N06S2L-23-VB Chip