onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
MJD31C1G NPN 100V 3A 3.0 A, 100 V, NPN Bipolar Power Transistor

MJD31C1G

NPN 100V 3A 3.0 A, 100 V, NPN Bipolar Power Transistor
Mã sản phẩm
MJD31C1G
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
IPAK
đóng gói
Tube
Số lượng gói
75
Sự miêu tả
This bipolar power transistor is suitable for general purpose amplifiers and low speed switching applications. MJD31, MJD31C (NPN) and MJD32, MJD32C (PNP) are complementary devices.
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 68577 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của MJD31C1G
MJD31C1G Linh kiện điện tử
MJD31C1G Việc bán hàng
MJD31C1G Nhà cung cấp
MJD31C1G Nhà phân phối
MJD31C1G Bảng dữ liệu
MJD31C1G Ảnh
MJD31C1G Giá
MJD31C1G Lời đề nghị
MJD31C1G Giá thấp nhất
MJD31C1G Tìm kiếm
MJD31C1G Thu mua
MJD31C1G Chip