onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
MJD41CT4G NPN 100V 6A 6.0 A, 100 V, NPN Bipolar Power Transistor

MJD41CT4G

NPN 100V 6A 6.0 A, 100 V, NPN Bipolar Power Transistor
Mã sản phẩm
MJD41CT4G
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
TO-252-2(DPAK)
đóng gói
taping
Số lượng gói
2500
Sự miêu tả
This bipolar power transistor is suitable for general purpose amplifiers and low speed switching applications. MJD41C (NPN) and MJD42C (PNP) are complementary devices.
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 93017 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của MJD41CT4G
MJD41CT4G Linh kiện điện tử
MJD41CT4G Việc bán hàng
MJD41CT4G Nhà cung cấp
MJD41CT4G Nhà phân phối
MJD41CT4G Bảng dữ liệu
MJD41CT4G Ảnh
MJD41CT4G Giá
MJD41CT4G Lời đề nghị
MJD41CT4G Giá thấp nhất
MJD41CT4G Tìm kiếm
MJD41CT4G Thu mua
MJD41CT4G Chip