onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NJVMJD112T4G NPN 100V 2A 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

NJVMJD112T4G

NPN 100V 2A 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Mã sản phẩm
NJVMJD112T4G
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Darlington Tube
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
TO-252
đóng gói
taping
Số lượng gói
2500
Sự miêu tả
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 94228 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của NJVMJD112T4G
NJVMJD112T4G Linh kiện điện tử
NJVMJD112T4G Việc bán hàng
NJVMJD112T4G Nhà cung cấp
NJVMJD112T4G Nhà phân phối
NJVMJD112T4G Bảng dữ liệu
NJVMJD112T4G Ảnh
NJVMJD112T4G Giá
NJVMJD112T4G Lời đề nghị
NJVMJD112T4G Giá thấp nhất
NJVMJD112T4G Tìm kiếm
NJVMJD112T4G Thu mua
NJVMJD112T4G Chip