onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NSR01L30MXT5G
30 V, 100 mA Low IR Schottky diode
Mã sản phẩm
NSR01L30MXT5G
Loại
diode > Schottky diode
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
DFN0603-2
đóng gói
taping
Số lượng gói
10000
Sự miêu tả
This Schottky diode barrier diode is suitable for low leakage current applications. It features x3DFN2 ultra-small encapsulation, which helps designers complete the challenging task of improving energy efficiency and meeting shrinking space requirements.
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 56309 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
30V 100mA 450mV@100mA 100 mA, 30 V, Trench-based Schottky Diode in X4DFN2 (01005)
onsemi (Ansemi)
30V 100mA 525mV@100mA Schottky diodeBarrier rectifier, 30V, 100mA, low IR
onsemi (Ansemi)
30V 200mA 500mV@200mA Schottky diodeBarrier rectifier, 30V, 200mA, low VF
onsemi (Ansemi)
Từ khóa của NSR01L30MXT5G
NSR01L30MXT5G Linh kiện điện tử
NSR01L30MXT5G Việc bán hàng
NSR01L30MXT5G Nhà cung cấp
NSR01L30MXT5G Nhà phân phối
NSR01L30MXT5G Bảng dữ liệu
NSR01L30MXT5G Ảnh
NSR01L30MXT5G Giá
NSR01L30MXT5G Lời đề nghị
NSR01L30MXT5G Giá thấp nhất
NSR01L30MXT5G Tìm kiếm
NSR01L30MXT5G Thu mua
NSR01L30MXT5G Chip