onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NSVBAS16W1T1G
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
Mã sản phẩm
NSVBAS16W1T1G
Loại
Diodes > Switching Diodes
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
SC-88-6
đóng gói
taping
Số lượng gói
3000
Sự miêu tả
This silicon epitaxial planar diode is suitable for ultra-high-speed switching applications. The device is a three diode configuration with SC?88 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications where PCB space is at a premium.
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 64626 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
2 NPN-Pre-biased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 PNP-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
onsemi (Ansemi)
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
onsemi (Ansemi)
250V 225mA 1.25V@200mA 250 V High Voltage Switching Diode, Dual, Series
onsemi (Ansemi)
Từ khóa của NSVBAS16W1T1G
NSVBAS16W1T1G Linh kiện điện tử
NSVBAS16W1T1G Việc bán hàng
NSVBAS16W1T1G Nhà cung cấp
NSVBAS16W1T1G Nhà phân phối
NSVBAS16W1T1G Bảng dữ liệu
NSVBAS16W1T1G Ảnh
NSVBAS16W1T1G Giá
NSVBAS16W1T1G Lời đề nghị
NSVBAS16W1T1G Giá thấp nhất
NSVBAS16W1T1G Tìm kiếm
NSVBAS16W1T1G Thu mua
NSVBAS16W1T1G Chip