TECH PUBLIC (Taizhou)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NTJD4105CT1G
NTJD4105CT1G
Mã sản phẩm
NTJD4105CT1G
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
TECH PUBLIC (Taizhou)
đóng gói
SOT-363-6
đóng gói
taping
Số lượng gói
3000
Sự miêu tả
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 90459 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
8V Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-Channel 30V 250mA Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V 250mA 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
2 N-channel 60V 295mA Dual N?Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
onsemi (Ansemi)
Từ khóa của NTJD4105CT1G
NTJD4105CT1G Linh kiện điện tử
NTJD4105CT1G Việc bán hàng
NTJD4105CT1G Nhà cung cấp
NTJD4105CT1G Nhà phân phối
NTJD4105CT1G Bảng dữ liệu
NTJD4105CT1G Ảnh
NTJD4105CT1G Giá
NTJD4105CT1G Lời đề nghị
NTJD4105CT1G Giá thấp nhất
NTJD4105CT1G Tìm kiếm
NTJD4105CT1G Thu mua
NTJD4105CT1G Chip