Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
CXDM3069N TR

CXDM3069N TR

MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
Mã sản phẩm
CXDM3069N TR
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-243AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-89
Tản điện (Tối đa)
1.2W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
30 mOhm @ 7A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
11nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
580pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
2.5V, 10V
VSS (Tối đa)
12V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 28908 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của CXDM3069N TR
CXDM3069N TR Linh kiện điện tử
CXDM3069N TR Việc bán hàng
CXDM3069N TR Nhà cung cấp
CXDM3069N TR Nhà phân phối
CXDM3069N TR Bảng dữ liệu
CXDM3069N TR Ảnh
CXDM3069N TR Giá
CXDM3069N TR Lời đề nghị
CXDM3069N TR Giá thấp nhất
CXDM3069N TR Tìm kiếm
CXDM3069N TR Thu mua
CXDM3069N TR Chip