Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
C2M0080120D
MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
Mã sản phẩm
C2M0080120D
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
C2M™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Bulk
Công nghệ
SiCFET (Silicon Carbide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247-3
Tản điện (Tối đa)
192W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
98 mOhm @ 20A, 20V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 5mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
62nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 1000V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
20V
VSS (Tối đa)
+25V, -10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 25321 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của C2M0080120D
C2M0080120D Linh kiện điện tử
C2M0080120D Việc bán hàng
C2M0080120D Nhà cung cấp
C2M0080120D Nhà phân phối
C2M0080120D Bảng dữ liệu
C2M0080120D Ảnh
C2M0080120D Giá
C2M0080120D Lời đề nghị
C2M0080120D Giá thấp nhất
C2M0080120D Tìm kiếm
C2M0080120D Thu mua
C2M0080120D Chip