Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
C2M0160120D
MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
Mã sản phẩm
C2M0160120D
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Z-FET™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
SiCFET (Silicon Carbide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247-3
Tản điện (Tối đa)
125W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
196 mOhm @ 10A, 20V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 500µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
32.6nC @ 20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
527pF @ 800V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
20V
VSS (Tối đa)
+25V, -10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 19190 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của C2M0160120D
C2M0160120D Linh kiện điện tử
C2M0160120D Việc bán hàng
C2M0160120D Nhà cung cấp
C2M0160120D Nhà phân phối
C2M0160120D Bảng dữ liệu
C2M0160120D Ảnh
C2M0160120D Giá
C2M0160120D Lời đề nghị
C2M0160120D Giá thấp nhất
C2M0160120D Tìm kiếm
C2M0160120D Thu mua
C2M0160120D Chip