DMG6402LDM-7
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Mã sản phẩm
DMG6402LDM-7
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SOT-23-6
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-26
Tản điện (Tối đa)
1.12W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
27 mOhm @ 7A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
9.2nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
404pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 49007 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của DMG6402LDM-7
DMG6402LDM-7 Linh kiện điện tử
DMG6402LDM-7 Việc bán hàng
DMG6402LDM-7 Nhà cung cấp
DMG6402LDM-7 Nhà phân phối
DMG6402LDM-7 Bảng dữ liệu
DMG6402LDM-7 Ảnh
DMG6402LDM-7 Giá
DMG6402LDM-7 Lời đề nghị
DMG6402LDM-7 Giá thấp nhất
DMG6402LDM-7 Tìm kiếm
DMG6402LDM-7 Thu mua
DMG6402LDM-7 Chip