DMG6602SVTQ-7
MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
Mã sản phẩm
DMG6602SVTQ-7
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Sức mạnh tối đa
840mW
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TSOT-26
Loại FET
N and P-Channel
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3.4A, 2.8A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
60 mOhm @ 3.1A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
13nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 15V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 47499 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của DMG6602SVTQ-7
DMG6602SVTQ-7 Linh kiện điện tử
DMG6602SVTQ-7 Việc bán hàng
DMG6602SVTQ-7 Nhà cung cấp
DMG6602SVTQ-7 Nhà phân phối
DMG6602SVTQ-7 Bảng dữ liệu
DMG6602SVTQ-7 Ảnh
DMG6602SVTQ-7 Giá
DMG6602SVTQ-7 Lời đề nghị
DMG6602SVTQ-7 Giá thấp nhất
DMG6602SVTQ-7 Tìm kiếm
DMG6602SVTQ-7 Thu mua
DMG6602SVTQ-7 Chip