Mua Diodes Incorporated DMG6898LSDQ-13 MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

DMG6898LSDQ-13

MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Mã sản phẩm

DMG6898LSDQ-13

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Diodes Incorporated

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Sức mạnh tối đa

1.28W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-SO

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Standard

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

9.5A

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

16 mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1.5V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

26nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1149pF @ 10V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 6845 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

DMG6301UDW-13

MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363