Mua Diodes Incorporated DMN53D0LDW-13 MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

DMN53D0LDW-13

MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Mã sản phẩm

DMN53D0LDW-13

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Diodes Incorporated

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Sức mạnh tối đa

310mW

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SOT-363

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

50V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

360mA

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

1.6 Ohm @ 500mA, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1.5V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

0.6nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 25V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 5938 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

DMN5010VAK-7

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563