Mua Diodes Incorporated DMN6013LFG-7 MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

DMN6013LFG-7

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

Mã sản phẩm

DMN6013LFG-7

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Diodes Incorporated

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerWDFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PowerDI3333-8

Tản điện (Tối đa)

1W (Ta)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

60V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

10.3A (Ta), 45A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

13 mOhm @ 10A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

55.4nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2577pF @ 30V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 47092 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

DMN6013LFG-13

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8