Mua Diodes Incorporated HTMN5130SSD-13 MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

Trung Quốc
Nhà cung cấp linh kiện điện tử chuyên nghiệp

Danh mục Nhà sản xuất của CN ICs

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

HTMN5130SSD-13

MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

Mã sản phẩm

HTMN5130SSD-13

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Diodes Incorporated

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Sức mạnh tối đa

1.7W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-SO

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Standard

Xả điện áp nguồn (Vdss)

55V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

2.6A

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

130 mOhm @ 3A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

8.9nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

218.7pF @ 25V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 34154 PCS

Thông tin liên lạc