Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
EPC2001
TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Trạng thái một phần
Discontinued at Digi-Key
Công nghệ
GaNFET (Gallium Nitride)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 125°C (TJ)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
Die Outline (11-Solder Bar)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
7 mOhm @ 25A, 5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 5mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
10nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
5V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 46897 PCS