EPC2016
TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
Mã sản phẩm
EPC2016
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
eGaN®
Trạng thái một phần
Discontinued at Digi-Key
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
GaNFET (Gallium Nitride)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 125°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
Die
Gói thiết bị của nhà cung cấp
Die
Tản điện (Tối đa)
-
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
16 mOhm @ 11A, 5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 3mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
5.2nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
5V
VSS (Tối đa)
+6V, -5V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 6732 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của EPC2016
EPC2016 Linh kiện điện tử
EPC2016 Việc bán hàng
EPC2016 Nhà cung cấp
EPC2016 Nhà phân phối
EPC2016 Bảng dữ liệu
EPC2016 Ảnh
EPC2016 Giá
EPC2016 Lời đề nghị
EPC2016 Giá thấp nhất
EPC2016 Tìm kiếm
EPC2016 Thu mua
EPC2016 Chip