EPC2022
TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE
Mã sản phẩm
EPC2022
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
eGaN®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Digi-Reel®
Công nghệ
GaNFET (Gallium Nitride)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
Die
Gói thiết bị của nhà cung cấp
Die
Tản điện (Tối đa)
-
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
3.2 mOhm @ 25A, 5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 12mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
-
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
5V
VSS (Tối đa)
+6V, -4V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 28533 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của EPC2022
EPC2022 Linh kiện điện tử
EPC2022 Việc bán hàng
EPC2022 Nhà cung cấp
EPC2022 Nhà phân phối
EPC2022 Bảng dữ liệu
EPC2022 Ảnh
EPC2022 Giá
EPC2022 Lời đề nghị
EPC2022 Giá thấp nhất
EPC2022 Tìm kiếm
EPC2022 Thu mua
EPC2022 Chip