EPC2101
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Mã sản phẩm
EPC2101
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
eGaN®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Digi-Reel®
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
Die
Sức mạnh tối đa
-
Gói thiết bị của nhà cung cấp
Die
Loại FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Tính năng FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
9.5A, 38A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 47819 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của EPC2101
EPC2101 Linh kiện điện tử
EPC2101 Việc bán hàng
EPC2101 Nhà cung cấp
EPC2101 Nhà phân phối
EPC2101 Bảng dữ liệu
EPC2101 Ảnh
EPC2101 Giá
EPC2101 Lời đề nghị
EPC2101 Giá thấp nhất
EPC2101 Tìm kiếm
EPC2101 Thu mua
EPC2101 Chip