Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
EPC2107ENGRT
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
Mã sản phẩm
EPC2107ENGRT
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
eGaN®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
9-VFBGA
Sức mạnh tối đa
-
Gói thiết bị của nhà cung cấp
9-BGA (1.35x1.35)
Loại FET
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Tính năng FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 26269 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT Linh kiện điện tử
EPC2107ENGRT Việc bán hàng
EPC2107ENGRT Nhà cung cấp
EPC2107ENGRT Nhà phân phối
EPC2107ENGRT Bảng dữ liệu
EPC2107ENGRT Ảnh
EPC2107ENGRT Giá
EPC2107ENGRT Lời đề nghị
EPC2107ENGRT Giá thấp nhất
EPC2107ENGRT Tìm kiếm
EPC2107ENGRT Thu mua
EPC2107ENGRT Chip