Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
EPC2108ENGRT
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
Mã sản phẩm
EPC2108ENGRT
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
eGaN®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
9-VFBGA
Sức mạnh tối đa
-
Gói thiết bị của nhà cung cấp
9-BGA (1.35x1.35)
Loại FET
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Tính năng FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V, 100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 12478 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của EPC2108ENGRT
EPC2108ENGRT Linh kiện điện tử
EPC2108ENGRT Việc bán hàng
EPC2108ENGRT Nhà cung cấp
EPC2108ENGRT Nhà phân phối
EPC2108ENGRT Bảng dữ liệu
EPC2108ENGRT Ảnh
EPC2108ENGRT Giá
EPC2108ENGRT Lời đề nghị
EPC2108ENGRT Giá thấp nhất
EPC2108ENGRT Tìm kiếm
EPC2108ENGRT Thu mua
EPC2108ENGRT Chip