EPC2110
MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE
Mã sản phẩm
EPC2110
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
eGaN®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
-
Gói / Thùng
Die
Sức mạnh tối đa
-
Gói thiết bị của nhà cung cấp
Die
Loại FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Tính năng FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
120V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3.4A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
60 mOhm @ 4A, 5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 700µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
0.8nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
80pF @ 60V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 42123 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của EPC2110
EPC2110 Linh kiện điện tử
EPC2110 Việc bán hàng
EPC2110 Nhà cung cấp
EPC2110 Nhà phân phối
EPC2110 Bảng dữ liệu
EPC2110 Ảnh
EPC2110 Giá
EPC2110 Lời đề nghị
EPC2110 Giá thấp nhất
EPC2110 Tìm kiếm
EPC2110 Thu mua
EPC2110 Chip