Mua GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252 DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

GB01SLT12-252

DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252

Mã sản phẩm

GB01SLT12-252

Nhà sản xuất/Thương hiệu

GeneSiC Semiconductor

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-252

Loại điốt

Silicon Carbide Schottky

Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io)

Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If

1.8V @ 1A

Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr

2µA @ 1200V

Điện áp - DC ngược (Vr) (Tối đa)

1200V

Tốc độ

No Recovery Time > 500mA (Io)

Thời gian phục hồi ngược (trr)

0ns

Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba

-55°C ~ 175°C

Điện dung @ Vr, F

69pF @ 1V, 1MHz

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 28813 PCS

Thông tin liên lạc