Mua GeneSiC Semiconductor MBR600200CTR DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

MBR600200CTR

DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Mã sản phẩm

MBR600200CTR

Nhà sản xuất/Thương hiệu

GeneSiC Semiconductor

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Bulk

Kiểu lắp

Chassis Mount

Gói / Thùng

Twin Tower

Gói thiết bị của nhà cung cấp

Twin Tower

Loại điốt

Schottky

Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If

920mV @ 300A

Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr

3mA @ 200V

Cấu hình điốt

1 Pair Common Anode

Điện áp - DC ngược (Vr) (Tối đa)

200V

Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io) (trên mỗi Điốt)

300A

Tốc độ

Fast Recovery = 200mA (Io)

Thời gian phục hồi ngược (trr)

Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba

-55°C ~ 150°C

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 6110 PCS

Thông tin liên lạc