GD5F1GQ4UFYIGR
SPI NAND FLASH
Mã sản phẩm
GD5F1GQ4UFYIGR
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Trạng thái một phần
Active
Công nghệ
FLASH - NAND
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 85°C (TA)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-WDFN Exposed Pad
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-WSON (6x8)
Cung cấp điện áp
2.7 V ~ 3.6 V
Loại bộ nhớ
Non-Volatile
Kích thước bộ nhớ
1Gb (128M x 8)
Tần số đồng hồ
120MHz
Định dạng bộ nhớ
Flash
Thời gian chu kỳ viết - Word, Page
700µs
Giao diện bộ nhớ
SPI - Quad I/O
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 33804 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của GD5F1GQ4UFYIGR
GD5F1GQ4UFYIGR Linh kiện điện tử
GD5F1GQ4UFYIGR Việc bán hàng
GD5F1GQ4UFYIGR Nhà cung cấp
GD5F1GQ4UFYIGR Nhà phân phối
GD5F1GQ4UFYIGR Bảng dữ liệu
GD5F1GQ4UFYIGR Ảnh
GD5F1GQ4UFYIGR Giá
GD5F1GQ4UFYIGR Lời đề nghị
GD5F1GQ4UFYIGR Giá thấp nhất
GD5F1GQ4UFYIGR Tìm kiếm
GD5F1GQ4UFYIGR Thu mua
GD5F1GQ4UFYIGR Chip