Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
BSC009NE2LSATMA1

BSC009NE2LSATMA1

MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
Mã sản phẩm
BSC009NE2LSATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-PowerTDFN
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TDSON-8
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
25V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
41A (Ta), 100A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
0.9 mOhm @ 30A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
126nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
5800pF @ 12V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 26061 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của BSC009NE2LSATMA1
BSC009NE2LSATMA1 Linh kiện điện tử
BSC009NE2LSATMA1 Việc bán hàng
BSC009NE2LSATMA1 Nhà cung cấp
BSC009NE2LSATMA1 Nhà phân phối
BSC009NE2LSATMA1 Bảng dữ liệu
BSC009NE2LSATMA1 Ảnh
BSC009NE2LSATMA1 Giá
BSC009NE2LSATMA1 Lời đề nghị
BSC009NE2LSATMA1 Giá thấp nhất
BSC009NE2LSATMA1 Tìm kiếm
BSC009NE2LSATMA1 Thu mua
BSC009NE2LSATMA1 Chip