Mua Infineon Technologies BSG0811NDATMA1 MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

BSG0811NDATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON

Mã sản phẩm

BSG0811NDATMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

OptiMOS™

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerTDFN

Sức mạnh tối đa

2.5W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-TISON-8

Loại FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Tính năng FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Xả điện áp nguồn (Vdss)

25V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

19A, 41A

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

3 mOhm @ 20A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

8.4nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 12V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 15646 PCS

Thông tin liên lạc