Mua Infineon Technologies BSM100GB120DN2KHOSA1 IGBT 2 MED POWER 34MM-1

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

BSM100GB120DN2KHOSA1

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

Mã sản phẩm

BSM100GB120DN2KHOSA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

Trạng thái một phần

Not For New Designs

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Chassis Mount

Gói / Thùng

Module

Sức mạnh tối đa

700W

Cấu hình

Half Bridge

Gói thiết bị của nhà cung cấp

Module

Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

145A

Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)

1200V

Hiện tại - Ngưỡng thu thập (Tối đa)

2mA

Loại IGBT

Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Đầu vào

Standard

Điện trở nhiệt NTC

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 24791 PCS

Thông tin liên lạc