Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
BUZ30AHXKSA1
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Mã sản phẩm
BUZ30AHXKSA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
SIPMOS®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO-220-3
Tản điện (Tối đa)
125W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
-
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 14136 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của BUZ30AHXKSA1
BUZ30AHXKSA1 Linh kiện điện tử
BUZ30AHXKSA1 Việc bán hàng
BUZ30AHXKSA1 Nhà cung cấp
BUZ30AHXKSA1 Nhà phân phối
BUZ30AHXKSA1 Bảng dữ liệu
BUZ30AHXKSA1 Ảnh
BUZ30AHXKSA1 Giá
BUZ30AHXKSA1 Lời đề nghị
BUZ30AHXKSA1 Giá thấp nhất
BUZ30AHXKSA1 Tìm kiếm
BUZ30AHXKSA1 Thu mua
BUZ30AHXKSA1 Chip