Mua Infineon Technologies IPB407N30NATMA1 MOSFET N-CH TO263-3

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

IPB407N30NATMA1

MOSFET N-CH TO263-3

Mã sản phẩm

IPB407N30NATMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

OptiMOS™

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gói thiết bị của nhà cung cấp

D²PAK (TO-263AB)

Tản điện (Tối đa)

300W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

300V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

44A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

40.7 mOhm @ 44A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 270µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

87nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

7180pF @ 100V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 46118 PCS

Thông tin liên lạc