Mua Infineon Technologies IPB60R060C7ATMA1 MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

IPB60R060C7ATMA1

MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

Mã sản phẩm

IPB60R060C7ATMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

CoolMOS™ C7

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-TO263-3

Tản điện (Tối đa)

162W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

650V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

60 mOhm @ 15.9A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 800µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

68nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2850pF @ 400V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 6970 PCS

Thông tin liên lạc