Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPB60R250CPATMA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
Mã sản phẩm
IPB60R250CPATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
CoolMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO263-3-2
Tản điện (Tối đa)
104W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
650V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
250 mOhm @ 7.8A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 440µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
35nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 100V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 5017 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPB60R250CPATMA1
IPB60R250CPATMA1 Linh kiện điện tử
IPB60R250CPATMA1 Việc bán hàng
IPB60R250CPATMA1 Nhà cung cấp
IPB60R250CPATMA1 Nhà phân phối
IPB60R250CPATMA1 Bảng dữ liệu
IPB60R250CPATMA1 Ảnh
IPB60R250CPATMA1 Giá
IPB60R250CPATMA1 Lời đề nghị
IPB60R250CPATMA1 Giá thấp nhất
IPB60R250CPATMA1 Tìm kiếm
IPB60R250CPATMA1 Thu mua
IPB60R250CPATMA1 Chip