Mua Infineon Technologies IPB65R125C7ATMA2 MOSFET N-CH TO263-3

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

IPB65R125C7ATMA2

MOSFET N-CH TO263-3

Mã sản phẩm

IPB65R125C7ATMA2

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

CoolMOS™ C7

Trạng thái một phần

Active

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-TO263-3

Tản điện (Tối đa)

101W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Xả điện áp nguồn (Vdss)

650V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

18A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

125 mOhm @ 8.9A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 440µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

35nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1670pF @ 400V

VSS (Tối đa)

±20V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 20269 PCS

Thông tin liên lạc