Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPB80N03S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Mã sản phẩm
IPB80N03S4L02ATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO263-3-2
Tản điện (Tối đa)
136W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.2V @ 90µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
140nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
9750pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±16V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 19271 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPB80N03S4L02ATMA1
IPB80N03S4L02ATMA1 Linh kiện điện tử
IPB80N03S4L02ATMA1 Việc bán hàng
IPB80N03S4L02ATMA1 Nhà cung cấp
IPB80N03S4L02ATMA1 Nhà phân phối
IPB80N03S4L02ATMA1 Bảng dữ liệu
IPB80N03S4L02ATMA1 Ảnh
IPB80N03S4L02ATMA1 Giá
IPB80N03S4L02ATMA1 Lời đề nghị
IPB80N03S4L02ATMA1 Giá thấp nhất
IPB80N03S4L02ATMA1 Tìm kiếm
IPB80N03S4L02ATMA1 Thu mua
IPB80N03S4L02ATMA1 Chip