Mua Infineon Technologies IPC302N10N3X1SA1 MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

IPC302N10N3X1SA1

MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL

Mã sản phẩm

IPC302N10N3X1SA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

OptiMOS™

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

Die

Gói thiết bị của nhà cung cấp

Sawn on foil

Tản điện (Tối đa)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

100V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

1A (Tj)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

100 mOhm @ 2A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3.5V @ 302µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 22574 PCS

Thông tin liên lạc