Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPD031N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Mã sản phẩm
IPD031N03LGATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO252-3
Tản điện (Tối đa)
94W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
3.1 mOhm @ 30A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
51nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
5300pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 51629 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPD031N03LGATMA1
IPD031N03LGATMA1 Linh kiện điện tử
IPD031N03LGATMA1 Việc bán hàng
IPD031N03LGATMA1 Nhà cung cấp
IPD031N03LGATMA1 Nhà phân phối
IPD031N03LGATMA1 Bảng dữ liệu
IPD031N03LGATMA1 Ảnh
IPD031N03LGATMA1 Giá
IPD031N03LGATMA1 Lời đề nghị
IPD031N03LGATMA1 Giá thấp nhất
IPD031N03LGATMA1 Tìm kiếm
IPD031N03LGATMA1 Thu mua
IPD031N03LGATMA1 Chip